2SK673

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK673
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
TOHSIBA
TO-220
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SK673
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
TOS
NULL
NULL
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

2SK673
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
88001
TOS
TO-220
2025+
-
一級代理商原裝現貨

2SK673
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
7000
T
TO-220
2015+
-
公司現貨!只做原裝!

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220AB

2SK673 技術參數

2SK669-AC 功能描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:3-SPA 標準包裝:2,500 2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:210μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:150μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:60μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:3,000 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI 2SMES-01