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參數資料
| 型號： | 2N3055 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistors(補償型硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率晶體管（補償型硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2N3055 |
2N3055
MJ2955
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
ST PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY NPN-PNP DEVICES
DESCRIPTION
The 2N3055 is a silicon epitaxial-base NPN
transistor in Jedec TO-3 metal case.
It is intended for power switching circuits, series
and shunt regulators, output stages and high
fidelity amplifiers.
The complementary PNP type is MJ2955.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
August 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
2N3055
MJ2955
100
70
60
7
15
7
115
-65 to 200
200
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 100
)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
1
2
TO-3
1/4
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