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參數資料
| 型號： | 2N3055ECECC |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2N3055ECECC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3351G4 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77 |
| 2N3421ALCC4 | 5000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3209L | 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3347G4 | 30 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77 |
| 2N3167.MOD | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3055ESMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
| 2N3055G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055H | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
| 2N3055HG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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