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參數資料
| 型號： | 2N3114 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2N3114 |
IPN= 0258354 0000043 T83
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N3037 | 500 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50 |
| 2N3045 | 30 mA, 45 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3044 | 30 mA, 45 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3046 | 30 mA, 45 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
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| 2N3115 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3116 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3117 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Lvl SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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