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參數資料
| 型號： | 2N5061RLR |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 中文描述： | 敏感柵可控硅整流器 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2N5061RLR |
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5061RLRA | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N5061RLRM | Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 2n917 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
| 2N917A | Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
| 2N917 | Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5061RLRA | 功能描述:SCR 50V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5061RLRAG | 功能描述:SCR 50V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5061RLRM | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
| 2N5062 | 功能描述:SCR 0.8A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5062G | 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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