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參數資料
| 型號： | 2N5190 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2N5190 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5195 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5190G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5191 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5191 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-126 |
| 2N5191/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2N5191_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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