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參數資料
型號: 2N5401-X-T92-B
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關晶體管
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 61K
代理商: 2N5401-X-T92-B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-001,D
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
FEAT URES
* Collector-emitter voltage:
V
CEO
= -150V
* High current gain
SOT-89
1
TO-92
1
*Pb-free plating product number:2N5401L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
B
E
B
Normal
Lead Free Plating
2N5401L-x-AB3-R
2N5401L-x-T92-B
2N5401L-x-T92-K
Package
3
E
C
C
Packing
2N5401-x-AB3-R
2N5401-x-T92-B
2N5401-x-T92-K
SOT-89
TO-92
TO-92
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2N5401L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T92: TO-92
(3) x: refer to Classification of h
FE
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料
PDF描述
2N5401-X-T92-K HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5401C EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401S EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401 PNP high-voltage transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5401-X-T92-K 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5401YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401YIUTA 功能描述:功率放大器 TO-92 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝:
2N5401YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2