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參數資料
| 型號： | 2N6038 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | 2N6038 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6039 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6036 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N6036 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N6050 | Silicon PNP Power Darlington Transistor(硅PNP功率達林頓晶體管) |
| 2N6050 | POWER TRANSISTORS(12A,150W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6038G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6039 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6039G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6040 | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darl SW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2N6040/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
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