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參數資料
| 型號： | 2N6070A |
| 英文描述： | TRIAC|100V V(DRM)|2A I(T)RMS|TO-126 |
| 中文描述： | 可控硅| 100V的五（DRM）的|甲口（T）的有效值|至126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N6070A |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6072A | TRIAC|300V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126 |
| 2N6074A | TRIAC|500V V(DRM)|4A I(T)RMS|TO-126 |
| 2N6152 | TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
| 2N6153 | TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
| 2N6154 | TRIAC|200V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-127 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6071 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TRIACs 4 AMPERES RMS 200 thru 600 VOLTS |
| 2N6071/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sensitive Gate Triacs |
| 2N6071A | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| 2N6071A_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| 2N6071AG | 功能描述:雙向可控硅 THY 4A 200V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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