| 型號: | 2N6289 |
| 廠商: | Boca Semiconductor Corp. |
| 英文描述: | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 中文描述: | 外延基,硅NPN和PNP VERSAWATT三極管 |
| 文件頁數: | 1/3頁 |
| 文件大小: | 101K |
| 代理商: | 2N6289 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6291 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6293 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6473 | EPITAXIAL-BASE, SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
| 2N6473 | COMPLEMENTARY SILICON SWITCHING TRANSITORS |
| 2N6120 | PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N629 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT |
| 2N6290 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6290 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220 |
| 2N6291 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6292 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |