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參數資料
型號: 2N6579
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 12 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CAN-2
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 70K
代理商: 2N6579
相關PDF資料
PDF描述
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2N6589 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2N657A 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor Gen Purp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N658 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
2N6580 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 400V 10A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6581 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 450V 10A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6582 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 350V 10A 3PIN TO-3 - Bulk