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參數資料

型號：	2SA1312BLTE85R
元件分類：	小信號晶體管
英文描述：	100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
文件頁數：	1/3頁
文件大?。?/td>	101K
代理商：	2SA1312BLTE85R

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相關PDF資料	PDF描述
2SA1312BLTE85L	100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1312TE85R	100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1313YTE85L	500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1314-A	2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1314-B	2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

相關代理商/技術參數	參數描述
2SA1312-GR(TE85L,F	制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape
2SA1312GRTE85LF	功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1313-O(TE85L,F)	功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1
2SA1313-Y(T5L,F,T)	制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 50MA S-MINI
2SA1313-Y(TE85L,F)	功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Small-Signal Transistors RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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