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參數資料
| 型號： | 2SA1770-AN |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SA1770-AN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4655GC | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655J | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4655JB | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4664 | 8 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4667RTE85L | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1770S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1770T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
| 2SA1773E-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A TO-251 |
| 2SA1774 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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