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參數資料
| 型號： | 2SA1958 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126FM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | 2SA1958 |
2SA1958
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
f
T = 500 MHz typ
High voltage and low output capacitance
V
CEO = 150 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Complementary pair with 2SC5120
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126FM
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1960RF | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1962-O | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1963-3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1965 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1980-G-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA19610QAHW | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA19620TU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| 2SA1962-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1962-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1962-O(Q,T) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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