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參數資料
| 型號： | 2SA1977FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2SA1977FB |
3
2SA1977
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
50
100
150
200
100
200
300
400
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
P
T
-Total
Power
Dissipation
-
mV
TA - Ambient Temperature - C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2149 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC2570 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC4053 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4234 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC458LGB | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1977-L-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT |
| 2SA1977-T1B-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 |
| 2SA1977-T1B-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SA1978-FB(T1B-A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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