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參數資料
| 型號： | 2SA844RF |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SA844RF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA893ARF | 50 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC2855RR | 100 mA, 90 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB1000AJ | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4906YN | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1059TZ | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA847 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MITSUBISHI TRANS. TO- -90V -.05A .2W BCE |
| 2SA854 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA854S | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA854STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA854STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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