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參數資料
| 型號： | 2SB1181 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SB1181 |
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
Transistors
Power Transistor (
80V,
1A)
2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241
!
Features
1) High breakdown voltage and high
current.
BV
CEO
=
80V, I
C
=
1A
2) Good h
FE
linearity.
3) Low V
CE(sat)
.
4) Complements the 2SD1898 /
2SD1863 / 2SD1733.
!
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
2SB1260
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
0
2
+
0.05
+0.1
0.1
+0.2
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4
1
0
3.0±0.2
1.5±0.1
1.5±0.1
0.4±0.1
0.5±0.1
0.4±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6±0.1
±
2SB1241
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
1
6.8±0.2
2.5±0.2
1.05
0.45±0.1
2.54 2.54
0.5±0.1
0
4
1
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SB1181
0.1
0.1
+
5
0
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.9
0.75
1.0
±
0.2
0.55
±
0.1
9
±
0
1
±
0
2
1
2.3
0.5
±
0.1
6.5
±
0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
* Denotes h
FE
Abbreviated
symbol: BH
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
*1 Single pulse, Pw=100ms
*2 When mounted on a 40
×
40
×
0.7 mm ceramic board.
*3
Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Parameter
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
-80
V
V
V
A(DC)
W
C
C
-80
-5
-1
I
CP
A(Pulse)
-2
*1
0.5
2
*2
1
*3
10
2SB1260
2SB1241, 2SB1181
2SB1181
150
-55~+150
Symbol
Limits
Unit
W(Tc=25C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1260 | Power Transistor |
| 2SB1243 | Power Transistor (-60V, -3A) |
| 2SB1184 | Power Transistor (-60V, -3A) |
| 2SB1185 | Power Transistor (-60V, -3A) |
| 2SB1244 | LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1181F5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252VAR |
| 2SB1181F5P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SB1181F5Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SB1181F5R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SB1181P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252AA |
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