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參數資料
| 型號： | 2SB1279TL2N |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SB1279TL2N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1558TL2 | 30 mA, 210 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1555TL3/B | 300 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC1545C1B | 300 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4032TL3B | 300 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1554TL3 | 50 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1282-4100 | 功能描述:達林頓晶體管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1283 | 制造商:Shindengen 功能描述: |
| 2SB1284-4000 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7100 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SB1285-7112 | 功能描述:達林頓晶體管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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