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參數資料
型號: 2SC2879A
元件分類: 功率晶體管
英文描述: HF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: 2-13B1A, 4 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 191K
代理商: 2SC2879A
2SC2879A
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2879A
2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)
Specified 12.5V, 28MHz Characteristics
Output Power
: Po = 100WPEP
Power Gain
: Gp = 13dB
Collector Efficiency
: ηC = 35% (Min.)
Intermodulation Distortion: IMD = 24dB(Max.)
(MIL Standard)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
45
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
45
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
18
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4
V
Collector Current
IC
25
A
Collector Power Dissipation
PC
250
W
Junction Temperature
Tj
175
°C
Storage Temperature Range
Tstg
65~175
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
2–13B1A
Weight: 5.2g
Unit in mm
MARKING
Dot
Lot No.
2SC2879
JAPAN
TOSHIBA
1
2005-03-09
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PDF描述
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2SC2882-Y 400 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
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2SC2881-O-TP 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000