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參數資料
型號: 2SC4234
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: ITO-220, 3 PIN
文件頁數: 4/12頁
文件大小: 417K
代理商: 2SC4234
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600
800
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2SC4234
IB1 = 0.25IC
IB2 = 0.45A
VBB2 = 5V
Tc < 150
°C
Reverse Bias SOA
Collector-Emitter Voltage VCE [V]
Collector
Current
I
C
[A]
相關PDF資料
PDF描述
2SC458LGB 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2310C 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC5183-T2FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5186FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5218 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC4234-7000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7012 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7100 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4234-7112 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4235 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor