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參數資料
型號: 2SC5548A(2-7B1A)
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-7B1A, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 184K
代理商: 2SC5548A(2-7B1A)
2SC5548A
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5548A
High Voltage Switching Applications
Switching Regulator Applications
DC-DC Converter Applications
High speed switching: tr = 0.5 s (max), tf = 0.3 s (max) (IC = 0.8 A)
High collector breakdown voltage: VCEO = 400 V
High DC current gain: hFE = 40 (min) (IC = 0.2 A)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
600
V
Collector-emitter voltage
VCEO
400
V
Emitter-base voltage
VEBO
7
V
DC
IC
2
Collector current
Pulse
ICP
4
A
Base current
IB
0.5
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
15
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關PDF資料
PDF描述
2SC5549 1000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC5554 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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相關代理商/技術參數
參數描述
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2SC5550(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-126IS
2SC5551AE-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5551AF-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2