- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄67311 > 2SC5745-T1FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC5745-T1FB |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 21/24頁 |
| 文件大小： | 118K |
| 代理商： | 2SC5745-T1FB |
Data Sheet P15439EJ1V0DS
6
2SC5745
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 4 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MSG
|S21e|
2
VCE = 1 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
f = 1 GHz
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
15
0
5
10
–5
1
10
100
MAG
MSG
|S21e|
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5754-FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5801-T3FB-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5748(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 900V 16A 3-Pin TO-3P(LH) |
| 2SC5750-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
| 2SC5750-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:3,000 |
| 2SC5750-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:15GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:16dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 20mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-343F 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。