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參數資料
| 型號： | 2SC5801-T3FB-A |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 16/23頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5801-T3FB-A |
NEC Compound Semiconductor Devices Hong Kong Limited
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Business issue
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Technical issue
2SC5801
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5812 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SH28 | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 2SJ518 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ553L-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ553STL-E | 30 A, 60 V, 0.055 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC5808-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:NPN 400V 2.5A 20 to 50 TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 700V 2.5A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SC5810(TE12L,F) | 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SC581300L | 功能描述:TRANS NPN 80VCEO 1.5A MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5819(TE12L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 1.5A SC-62 |
| 2SC582 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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