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參數資料
| 型號： | 2SD1864TV2R |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|園區 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | 2SD1864TV2R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1921 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
| 2SD1761 | TRIPLE DIFFUSED PLANAR NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SD1765 | EPITAXIAL PLANAR NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
| 2SD1805E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-252 |
| 2SD1868 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SD1866TV2 | 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1867 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV100V 1.5A 1W ECB |
| 2SD1867TV2 | 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| 2SD1876 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1879 | 制造商:SANY 功能描述: |
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