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參數資料
型號: 2SK2395
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管)
中文描述: N溝道結硅場效應管,高頻低噪聲放大器的應用(低噪聲高頻放大器應用的?溝道結型場效應管)
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 96K
代理商: 2SK2395
2SK2395
No.4840–2/3
相關PDF資料
PDF描述
2SK2418 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2419 MOSFET
2SK2420 MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2395F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK
2SK2395G 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK
2SK2395H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK
2SK2397-01MR 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
2SK2398 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件