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參數資料
| 型號： | 2SK3507 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | 開關N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | 2SK3507 |
Data Sheet D15387EJ1V0DS
7
2SK3507
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-252 (MP-3ZK)
6.5
±
0.2
5.1
±
0.3
4.3 MIN.
2.3
±
0.1
0.5
±
0.1
0.77
±
0.1
0.03 to 0.25
0.5
±
0.1
1.0
No Plating
No Plating
1
±
0
6
±
0
0
4
.
0
1
1
4
2
3
1.14 MAX.
2.3
2.3
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Caution Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and
ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity
as much as possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3507-ZK | PROFET™: Smart High Side Switches; Package: PG-TO252-5; Channels: 1.0; R<sub>ON</sub> @ Tj = 25°C : 12.0 mOhm; Recommended Operating Voltage Range: 5.5 - 20.0 V; IL(SC): 65.0 A; Diagnostic: Sense |
| 2SK3511-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3511 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3511-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 2SK3511-Z | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3510-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3511(AZ) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK3511-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3512-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3513-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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