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參數資料
| 型號： | 2STW1695 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | 2STW1695 |
2STW1695
Electrical characteristics
3/9
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = -140 V
-0.1
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = -6 V
-0.1
A
V(BR)CEO
Collector-emitter breakdown
voltage (IB = 0)
IC = -50 mA
-140
V
V(BR)CBO
Collector-base breakdown
voltage (IE = 0)
IC = -100 A
-140
V
V(BR)EBO
(1)
1.
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle
≤ 1.5 %
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -1 mA
-6
V
VCE(sat)
(1) Collector-emitter saturation
voltage
IC = -5 A
IB = -500 mA
IC = -7 A
IB = -700 mA
-0.5
-0.7
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
VCE = -5 V
IC = -5 A
-1.3
V
hFE
DC current gain
IC = -3 A
VCE = -4 V
IC = -5 A
VCE = -4 V
70
50
140
fT
Transition frequency
IC = -0.5 A
VCE = -12 V
20
MHz
CCBO
Collector-base capacitance
(IE = 0)
VCB = -10 V
f = 1 MHz
225
pF
ton
tstg
tf
Resistive load
Turn-on time
Storage time
Fall time
IC = -5 A
VCC = -60 V
IB1 = -IB2 = -0.5 A
0.24
1.2
0.24
s
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