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參數資料
| 型號： | 63CNQ080 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIMOD-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | 63CNQ080 |
ROHS Compliant
*Pulse test: Pulse width 300sec, Duty cycle 2%
Thermal and Mechanical Characteristics
Electrical Characteristics
F(AV) 60 Amps
F(AV) 30 Amps
R(OV)
2 Amps
Schottky MiniMod
*Add the Suffix A for Common Anode, D for Doubler
FST6380 - FST63100
FSM 600 Amps
FM 0.60 Volts
FM 0.82 Volts
RM
20 mA
RM
1.5 mA
J
1000 pF
0JC
Max thermal resistance per leg
Typical thermal resistance (greased)
Mounting Base Torque
Weight
Max thermal resistance per pkg
0JC
0CS
R
Typical junction capacitance per leg
Max reverse current per leg
Max peak forward voltage per leg
Max repetitive peak reverse current per leg
Maximum surge current per leg
Average forward current per leg
Average forward current per pkg
Max peak reverse current per leg
Operating junction temp range
Storage temp range
STG
J
T
R
T
C
I
V
I
Microsemi
Catalog Number
FST6380*
FST63100*
FST6390*
Working
Peak Reverse
Voltage
100V
80V
90V
C = 150°C, Square wave,
0JC = 0.5°C/W
C = 150°C, Square wave,
0JC = 1.0°C/W
1.0°C/W
10 inch pounds maximum
0.3 ounce (8.4 grams) typical
Case to sink
Junction to case
0.5°C/W
0.3°C/W
R = 5.0V,
C = 25°C
RRM,
J = 25°C
T
FM = 30A:
J = 25°C*
FM = 30A:
J = 175°C*
RRM,
J = 125°C*
f = 1 KHZ, 25°C, 1sec square wave
8.3 ms, half sine,
J = 175°C
Junction to case
-55°C to 175°C
V
T
I
V
I
T
R
Peak Reverse
Repetitive
Voltage
100V
80V
90V
D=Doubler
A=Common Anode
Common Cathode
3 PINS eq sp at .200
N 2-PLCS.
Note: Baseplate Common with Pin 2
C
K
G
M
H
L
J
1
2
1
2
P
A
1
2
F
3
E
1
2
Dia.
Notes
9.40
8.89
.350
E
.370
1.510
.715
.098
.260
.135
.480
.161
.025
.046
3
N
P
M
L
3
H
J
K
G
F
.151
.015
.460
.034
.088
.240
.115
1.490
.695
3.84
0.38
11.68
0.86
2.24
6.10
2.92
37.85
17.65
12.19
4.09
0.64
1.17
38.35
18.16
2.49
6.60
3.43
Maximum
1.195
.035
Dim. Inches
3
C
A
Minimum
1.180
.025
Millimeter
Minimum
29.97
0.64
Maximum
30.35
0.89
63CNQ100
63CNQ080
Part Number
Industry
V
- 80 to 100 Volts
RRM
Reverse Energy Tested
Schottky Barrier Rectifier
Guard Ring Protection
2X30 Amperes avg.
175°C Junction Temperature
January, 2010 - Rev. 3
www.microsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 63CNQ080 | 60 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63CNQ100SM-G | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63CNQ080-G | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63CNQ080SM-G | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 63CNQ080SL-G | 60 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 63CNQ080SL | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 30A Surface Mount PRM3-SL 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:930mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.5mA @ 80V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PRM3-SL 供應商器件封裝:PRM3-SL 標準包裝:100 |
| 63CNQ080SM | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 80V 30A Through Hole PRM3-SM 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:930mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.5mA @ 80V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PRM3-SM 供應商器件封裝:PRM3-SM 標準包裝:48 |
| 63CNQ100 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER |
| 63CNQ100SL | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 30A Surface Mount PRM3-SL 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:930mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.5mA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PRM3-SL 供應商器件封裝:PRM3-SL 標準包裝:100 |
| 63CNQ100SM | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 30A Through Hole PRM3-SM 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:930mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1.5mA @ 100V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PRM3-SM 供應商器件封裝:PRM3-SM 標準包裝:48 |
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