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參數(shù)資料
| 型號： | AOI4185 |
| 廠商： | ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 40 V, 0.015 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| 封裝： | GREEN, TO-251A, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | AOI4185 |
AOD4185/AOI4185
150
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 13: Current De-rating (Note B)
-Cur
re
nt
r
a
ti
ng
I
D
(A)
1
10
100
1000
10000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note G)
Pow
e
r(
W
)
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note G)
Z
θJA
No
rm
aliz
ed
T
ran
sien
t
T
h
e
rm
al
Resist
an
ce
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=50°C/W
Single Pulse
Ton
T
PD
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0
10
20
30
40
50
60
70
0
25
50
75
100
125
150
175
TCASE (°C)
Figure 12: Power De-rating (Note B)
P
o
we
rDi
s
ipa
ti
on
(W
)
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD472 | 55 A, 25 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI403 | 70 A, 30 V, 0.0085 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOD403 | 70 A, 30 V, 0.008 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| AOI472A | 50 A, 25 V, 0.0052 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251 |
| AOL1426 | 46 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AOI4286 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI4286L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION |
| AOI442 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| AOI444 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A TO251A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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