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參數資料
| 型號： | AP9923GEO-HF |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 7000 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | AP9923GEO-HF |
AP9923GEO-HF
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Transfer Characteristics
Fig 12. Gate Charge Waveform
4
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS (V)
-I
D
(A)
T A =25
o C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t , Pulse Width (s)
N
o
rm
a
liz
ed
Th
er
ma
lR
e
sp
o
n
se
(
R
thja
)
PDM
Duty Factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthja + Ta
Rthja=208
oC/W
t
T
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty Factor=0.5
Single Pulse
0.02
0
2
4
6
8
0
1020
3040
50
Q G , Total Gate Charge (nC)
-V
GS
,
G
a
te
t
o
S
o
u
rc
e
Vol
tage
(V)
V DS = -6V
I D = -7A
100
1000
10000
1357
9
11
13
-V DS (V)
C
(pF)
f=1.0MHz
C iss
C oss
C rss
Q
VG
QGS
QGD
QG
Charge
-4.5V
0
5
10
15
20
25
30
01
234
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
D
rai
n
Cu
rr
e
n
t(A)
T j =150
o C
T j =25
o C
V DS = -5V
Operation in this
area limited by
RDS(ON)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9928GEM | 7.3 A, 20 V, 0.023 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AP9936GM | 5 A, 30 V, 0.05 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| AP9962AGP | 32 A, 40 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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