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參數資料
| 型號： | APT20M21BFN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 120 A, 200 V, 0.021 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 558K |
| 代理商： | APT20M21BFN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT802R8CN | 4 A, 800 V, 2.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT601R6CN | 5.5 A, 600 V, 1.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT6070CN | 9.5 A, 600 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
| APT10050CFN | 22 A, 1000 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT40M42BFN | 95 A, 400 V, 0.04 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT20M21DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| APT20M21JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 120A I(D) |
| APT20M22 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22B2VFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT20M22B2VFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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