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參數(shù)資料
型號(hào): APT25GP120B
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 6/6頁(yè)
文件大小: 95K
代理商: APT25GP120B
050-7411
Rev
B
4-2003
APT25GP120B
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
0
t
f
Collector Voltage
Collector Current
10%
90%
T
J = 125
C
t
d(off)
Gate Voltage
Switching Energy
90%
5 %
t
r
Collector Voltage
Collector Current
90%
T
J = 125
C
5%
t
d(on)
Gate Voltage
Switching Energy
10%
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT15DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT25GP120BG 69 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT25GP90BDF1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT25GP90BDQ1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP90BDQ1 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT25GP90BDQ1G 72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT25GP120BD1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):25Amps|Ultrafast IGBT Family
APT25GP120BDQ1 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT25GP120BDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT25GP120BG 功能描述:IGBT 1200V 69A 417W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT25GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT