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參數資料
| 型號： | APT4020BN |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 26 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | APT4020BN |
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
TO-247AD Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.140)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
Drain
2-Plcs.
APT4020/4025BN
050-4007
Rev
B
T =+25°C
T =+150°C
SINGLE PULSE
C
J
0
10
20
30
40
50
Crss
Coss
C
iss
TJ = +25°C
T
J
= +150°C
0
.5
1.0
1.5
2.0
0
40
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
VDS=80V
VDS=200V
VDS=320V
.1
1
10
100
200
APT4020BN
APT4025BN
1mS
10mS
100mS
DC
100S
10S
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
APT4020BN
I
D = ID [Cont.]
1
5
10
50 100
400
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT40GP60B2DQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GP60B2DQ2G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GP60B2DQ2G | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GP60B2DQ2 | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT40GP90B2DQ2 | 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT4020BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD |
| APT4020BVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET |
| APT4020BVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 27A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT4020BVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT4020DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | CHIP |
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