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參數資料
| 型號： | APT40N60JCU3 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 40 A, 600 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | APT40N60JCU3 |
APT40N60JCU3
A
PT
40N
60J
C
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 8
ISOTOP
Absolute maximum ratings
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
A
S
G
D
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VDSS
Drain - Source Breakdown Voltage
600
V
Tc = 25°C
40
ID
Continuous Drain Current
Tc = 80°C
30
IDM
Pulsed Drain current
120
A
VGS
Gate - Source Voltage
±20
V
RDSon
Drain - Source ON Resistance
70
m
W
PD
Maximum Power Dissipation
Tc = 25°C
290
W
IAR
Avalanche current (repetitive and non repetitive)
20
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
1
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
1800
mJ
IFAV
Maximum Average Forward Current
Duty cycle=0.5
Tc = 80°C
30
IFRMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
39
A
VDSS = 600V
RDSon = 70m
W max @ Tj = 25°C
ID = 40A @ Tc = 25°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Features
-
Ultra low RDSon
-
Low Miller capacitance
-
Ultra low gate charge
-
Avalanche energy rated
ISOTOP Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP Buck chopper
Super Junction
MOSFET Power Module
A
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVRG | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT40N60LCF | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40N60LCFG | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction FREDFET |
| APT40SM120B | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 |
| APT40SM120J | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 |
| APT40SM120S | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 |
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