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參數資料
| 型號： | APT45GP120J |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | APT45GP120J |
050-7430
Rev
C
6-2003
APT45GP120J
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter
Collector
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Source terminal.
SOT-227 (ISOTOP) Package Outline
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
90%
0
Switching
Energy
T
J = 125
C
90%
t
d(off)
t
f
10%
t
d(on)
5%
10%
90%
t
r
5 %
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
T
J = 125
C
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT30DF120
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120J | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVR | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5010LVRG | 47 A, 500 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT5012LNR | 42 A, 500 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APT45GR65B | 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:357W 開關能量:900μJ（開），580μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 |
| APT45GR65B2DU30 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 |
| APT45GR65BSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 |
| APT45GR65SSCD10 | 功能描述:IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:118A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):224A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，45A 功率 - 最大值:543W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/100ns 測試條件:433V，45A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 |
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