| 型號: | BUK638-1000 |
| 廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述: | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| 中文描述: | PowerMOS晶體管快速恢復二極管場效應管 |
| 文件頁數: | 1/5頁 |
| 文件大小: | 188K |
| 代理商: | BUK638-1000 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK638-1000A | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-1000B | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK9006-55A | N-channel Enhancement mode field-effect power Transistor |
| BUK9620-100A | TrenchMOS logic level FET |
| BUK9728-55A | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUK638-1000A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-1000B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-500B | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |