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CSD19505KTT

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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  • 操作
  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質：營業執照

  • 29154

  • 22+

  • -

  • 原裝原廠現貨

  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD19505KTT
    CSD19505KTT

    CSD19505KTT

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TI/德州儀器

  • TO-263

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • CSD19505KTTT
    CSD19505KTTT

    CSD19505KTTT

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 0

  • TI

  • con

  • 24+

  • -

  • 集成電路（IC）

  • CSD19505KTTT
    CSD19505KTTT

    CSD19505KTTT

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

  • 100

  • TI

  • NA

  • 25+

  • -

  • 現貨！就到京北通宇商城

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 200A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.1 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 76nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 7920pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
  • 300W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA
  • 供應商器件封裝
  • DDPAK/TO-263-3
  • 標準包裝
  • 1
CSD19505KTT 技術參數
  • CSD19505KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 100A，6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19503KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2730pF @ 40V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19502Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19501KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.6 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3980pF @ 40V 功率 - 最大值:217W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19532Q5B CSD19532Q5BT CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T
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