| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 0 | 1,000:$2.60316 2,000:$2.47300 5,000:$2.37074 10,000:$2.30566 25,000:$2.23128 |
| IPD90N04S4-02 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 | 0 | 2,500:$0.80068 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 17.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫歐 @ 7.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 730µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 151W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |