| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 | 0 | 1:$5.58000 10:$5.02000 25:$4.55560 100:$4.09070 250:$3.71880 500:$3.25396 |
| BSC109N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON | 0 | 5,000:$0.80145 10,000:$0.77063 25,000:$0.75521 50,000:$0.73980 |
| IPB530N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 | 2,000 | 1:$1.92000 10:$1.64500 25:$1.48000 100:$1.34310 250:$1.20604 500:$1.04158 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 17.5A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 190 毫歐 @ 7.3A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 730µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1850pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 151W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |