| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N CH 600V 7A TO-251 | 0 | 1:$2.06000 25:$1.66520 100:$1.49850 250:$1.33200 500:$1.16550 1,000:$0.96570 2,500:$0.89910 5,000:$0.86580 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 3.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 680pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 78W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應商設備封裝: | I-Pak |
| 包裝: | 散裝 |