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分離式半導體產品 SQD50N06-07L-GE3品牌、價格、PDF參數

SQD50N06-07L-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO252 0 2,000:$1.72900
SI4886DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC 0 2,500:$1.71570
SQD50N06-07L-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.6 毫歐 @ 20A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5570pF @ 25V
功率 - 最大: 136W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: TO-252,(D-Pak)
包裝: 帶卷 (TR)