| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI7852DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 80V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.80865 |
| SI7440DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$0.80865 |
| SQ1420EEH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6 | 0 | 1:$0.66000 25:$0.46200 100:$0.39600 250:$0.34200 500:$0.29400 1,000:$0.22800 |
| SQ1421EEH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6 | 0 | 1:$0.66000 25:$0.46200 100:$0.39600 250:$0.34200 500:$0.29400 1,000:$0.22800 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 7.6A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 16.5 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.9W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |