| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIRA06DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK | 0 | 3,000:$0.47600 6,000:$0.45220 15,000:$0.43350 30,000:$0.42160 75,000:$0.40800 |
| SIS434DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 1212-8 | 0 | 3,000:$0.47600 |
| SIJ484DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L | 0 | 3,000:$0.47600 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 40A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.5 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3595pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 27.7W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |