| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4896DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC | 504 | 1:$1.77000 25:$1.40120 100:$1.26090 250:$1.09744 500:$0.98070 1,000:$0.77055 |
| SIE864DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 646 | 1:$2.03000 25:$1.56880 100:$1.42350 250:$1.27820 500:$1.10390 1,000:$0.92960 |
| SI4896DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC | 0 | 2,500:$0.65380 5,000:$0.62111 12,500:$0.59542 25,000:$0.57908 62,500:$0.56040 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6.7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 16.5 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.56W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商設備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |