| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPP65R310CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 | 482 | 1:$4.18000 10:$3.73600 25:$3.36200 100:$3.06330 250:$2.76444 500:$2.48054 1,000:$2.09202 2,500:$1.98742 5,000:$1.90523 |
| IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | 1,552 | 1:$8.18000 10:$7.41200 25:$6.79440 100:$6.17660 250:$5.55896 500:$5.09570 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 11.4A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 310 毫歐 @ 4.4A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 440µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104.2W |
| 安裝類(lèi)型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |