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分離式半導體產品 SI4666DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI4666DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 3,384 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 3,384 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.31900
5,000:$0.29700
12,500:$0.28600
25,000:$0.27500
62,500:$0.27060
125,000:$0.26400
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,157 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,157 1:$0.97000
25:$0.74800
100:$0.66000
250:$0.57200
500:$0.48400
1,000:$0.38500
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8-SOIC 15,000 2,500:$0.31900
5,000:$0.29700
12,500:$0.28600
25,000:$0.27500
62,500:$0.27060
125,000:$0.26400
SI4666DY-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16.5A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1145pF @ 10V
功率 - 最大: 5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: Digi-Reel®