| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| NP80N055PDG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | 1,000 | 1,000:$0.72750 2,000:$0.67900 5,000:$0.64505 10,000:$0.61838 25,000:$0.60140 50,000:$0.58200 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 80A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.6 毫歐 @ 40A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | TO-263 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |