| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 0 | 800:$1.34300 1,600:$1.23250 2,400:$1.14750 5,600:$1.10500 20,000:$1.06250 40,000:$1.04550 80,000:$1.02000 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| IGBT 類型: | - |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: | 365V |
| Vge, Ic時的最大Vce（開）: | 1.8V @ 4.5V，10A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: | 20A |
| 功率 - 最大: | 165W |
| 輸入類型: | 邏輯 |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設(shè)備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |