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分離式半導體產品 BSD840N L6327品牌、價格、PDF參數

BSD840N L6327 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
BSD840N L6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 0
BSO211P H Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 0
BSD223P H6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 390MA SOT363 0
BSD840N L6327 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 880mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫歐 @ 880mA,2.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 750mV @ 1.6µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 78pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: PG-SOT363-6
包裝: 帶卷 (TR)