分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 ALD1110ESAL品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
ALD1110ESAL • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| ALD1110ESAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET N-CH ADJ DUAL 8SOIC |
0 |
50:$2.63260
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| ALD1101BPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP |
0 |
50:$3.48760
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| ALD1102BPAL |
Advanced Linear Devices Inc |
MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8PDIP |
0 |
50:$3.48760
|
ALD1110ESAL • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
10V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
3mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
500 歐姆 @ 5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 1µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
-
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
600mW
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOIC
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| 包裝: |
管件
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